第一部分 基 本 單 元
第1章 引論
1．1 歷史回顧
1．2 數(shù)字集成電路設(shè)計中的問題
1．3 數(shù)字設(shè)計的質(zhì)量評價
1．3．1 集成電路的成本
1．3．2 功能性和穩(wěn)定性
1．3．3 性能
1．3．4 功耗和能耗
1．4 小結(jié)
1．5 進(jìn)一步探討
期刊和會議論文集
參考書目
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第2章 制造工藝
2．1 引言
2．2 CMOS集成電路的制造
2．2．1 硅圓片
2．2．3 一些重復(fù)進(jìn)行的工藝步驟
2．2．4 簡化的CMOS工藝流程
2．3 設(shè)計規(guī)則――設(shè)計者和工藝工程師之間的橋梁
2．4 集成電路封裝
2．4．1 封裝材料
2．4．2 互連層
2．4．3 封裝中的熱學(xué)問題
2．5 綜述： 工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢
2．5．1 近期進(jìn)展
2．5．2 遠(yuǎn)期展望
2．6 小結(jié)
2．7 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
設(shè)計方法插入說明A――IC版圖
參考文獻(xiàn)
第3章 器件
3．1 引言
3．2 二極管
3．2．1 二極管簡介――耗盡區(qū)
3．2．2 靜態(tài)特性
3．2．3 動態(tài)或瞬態(tài)特性
3．2．4 實際的二極管――二次效應(yīng)
3．2．5 二極管SPICE模型
3．3 MOS（FET）晶體管
3．3．1 MOS晶體管簡介
3．3．2 靜態(tài)情況下的MOS晶體管
3．3．3 實際的MOS晶體管――一些二階效應(yīng)
3．3．4 MOS管的SPICE模型
3．4 關(guān)于工藝偏差
3．5 綜述： 工藝尺寸縮小
3．6 小結(jié)
3．7 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
設(shè)計方法插入說明B――電路模擬
進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
第4章 導(dǎo)線
4．1 引言
4．2 簡介
4．3 互連參數(shù)――電容、電阻和電感
4．3．1 電容
4．3．2 電阻
4．3．3 電感
4．4 導(dǎo)線模型
4．4．1 理想導(dǎo)線
4．4．2 集總模型（Lumped Model）
4．4．3 集總RC模型
4．4．4 分布rc線
4．4．5 傳輸線
4．5 導(dǎo)線的SPICE模型
4．5．1 分布rc線的SPICE模型
4．5．2 傳輸線的SPICE模型
4．5．3 綜述： 展望未來
4．6 小結(jié)
4．7 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
第二部分 電 路 設(shè) 計
第5章 CMOS反相器
5．1 引言
5．2 靜態(tài)CMOS反相器――直觀綜述
5．3 CMOS反相器穩(wěn)定性的評估――靜態(tài)特性
5．3．1 開關(guān)閾值
5．3．2 噪聲容限
5．3．3 再談穩(wěn)定性
5．4 CMOS反相器的性能： 動態(tài)特性
5．4．1 計算電容值
5．4．2 傳播延時： 一階分析
5．4．3 從設(shè)計角度考慮傳播延時
5．5 功耗、能量和能量延時
5．5．1 動態(tài)功耗
5．5．2 靜態(tài)功耗
5．5．3 綜合考慮
5．5．4 利用SPICE分析功耗
5．6 綜述： 工藝尺寸縮小及其對反相器衡量指標(biāo)的影響
5．7 小結(jié)
5．8 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第6章 CMOS組合邏輯門的設(shè)計
6．1 引言
6．2 靜態(tài)CMOS設(shè)計
6．2．1 互補(bǔ)CMOS
6．2．2 有比邏輯
6．2．3 傳輸管邏輯
6．3 動態(tài)CMOS設(shè)計
6．3．1 動態(tài)邏輯： 基本原理
6．3．2 動態(tài)邏輯的速度和功耗
6．3．3 動態(tài)設(shè)計中的信號完整性問題
6．3．4 串聯(lián)動態(tài)門
6．4 設(shè)計綜述
6．4．1 如何選擇邏輯類型
6．4．2 低電源電壓的邏輯設(shè)計
6．5 小結(jié)
6．6 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
設(shè)計方法插入說明C――如何模擬復(fù)雜的邏輯電路
參考文獻(xiàn)
設(shè)計方法插入說明D――復(fù)合門的版圖技術(shù)
進(jìn)一步探討
第7章 時序邏輯電路設(shè)計
7．1 引言
7．1．1 時序電路的時間參數(shù)
7．1．2 存儲單元的分類
7．2 靜態(tài)鎖存器和寄存器
7．2．1 雙穩(wěn)態(tài)原理
7．2．2 多路開關(guān)型鎖存器
7．2．3 主從邊沿觸發(fā)寄存器
7．2．4 低電壓靜態(tài)鎖存器
7．2．5 靜態(tài)SR觸發(fā)器――用強(qiáng)信號直接寫數(shù)據(jù)
7．3 動態(tài)鎖存器和寄存器
7．3．1 動態(tài)傳輸門邊沿觸發(fā)寄存器
7．3．2 C2MOS――一種對時鐘偏差不敏感的方法
7．3．3 真單相鐘控寄存器（TSPCR）
7．4 其他寄存器類型*
7．4．1 脈沖寄存器
7．4．2 靈敏放大器型寄存器
7．5 流水線： 優(yōu)化時序電路的一種方法
7．5．1 鎖存型流水線與寄存型流水線
7．5．2 NORA?CMOS――流水線結(jié)構(gòu)的一種邏輯形式
7．6 非雙穩(wěn)時序電路
7．6．1 施密特觸發(fā)器
7．6．2 單穩(wěn)時序電路
7．6．3 不穩(wěn)電路
7．7 綜述： 時鐘策略的選擇
7．8 小結(jié)
7．9 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
第三部分 系 統(tǒng) 設(shè) 計
第8章 數(shù)字集成電路的實現(xiàn)策略
8．1 引言
8．2 從定制到半定制以及結(jié)構(gòu)化陣列的設(shè)計方法
8．3 定制電路設(shè)計
8．4 以單元為基礎(chǔ)的設(shè)計方法
8．4．1 標(biāo)準(zhǔn)單元
8．4．2 編譯單元
8．4．3 宏單元、巨單元和專利模塊
8．4．4 半定制設(shè)計流程
8．5 以陣列為基礎(chǔ)的實現(xiàn)方法
8．5．1 預(yù)擴(kuò)散（或掩模編程）陣列
8．5．2 預(yù)布線陣列
8．6 綜述： 未來的實現(xiàn)平臺
8．7 小結(jié)
8．8 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
設(shè)計方法插入說明E――邏輯單元和時序單元的特性描述
參考文獻(xiàn)
設(shè)計方法插入說明F――設(shè)計綜合
進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
第9章 互連問題
9．1 引言
9．2 電容寄生效應(yīng)
9．2．1 電容和可靠性――串?dāng)_
9．2．2 電容和CMOS電路性能
9．3 電阻寄生效應(yīng)
9．3．1 電阻與可靠性――歐姆電壓降
9．3．2 電遷移
9．3．3 電阻和性能――RC延時
9．4 電感寄生效應(yīng)*
9．4．1 電感和可靠性――Ldidt電壓降
9．4．2 電感和性能――傳輸線效應(yīng)
9．5 高級互連技術(shù)
9．5．1 降擺幅電路
9．5．2 電流型傳輸技術(shù)
9．6 綜述： 片上網(wǎng)絡(luò)
9．7 小結(jié)
9．8 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第10章 數(shù)字電路中的時序問題
10．1 引言
10．2 數(shù)字系統(tǒng)的時序分類
10．2．1 同步互連
10．2．2 中等同步互連
10．2．3 近似同步互連
10．2．4 異步互連
10．3 同步設(shè)計――一個深入的考察
10．3．1 同步時序原理
10．3．2 偏差和抖動的來源
10．3．3 時鐘分布技術(shù)
10．3．4 鎖存式時鐘控制*
10．4 自定時電路設(shè)計*
10．4．1 自定時邏輯――一種異步技術(shù)
10．4．2 完成信號的產(chǎn)生
10．4．3 自定時的信號發(fā)送
10．4．4 自定時邏輯的實例
10．5 同步器和判斷器*
10．5．1 同步器――概念與實現(xiàn)
10．5．2 判斷器
10．6 采用鎖相環(huán)進(jìn)行時鐘綜合和同步*
10．6．1 基本概念
10．6．2 PLL的組成功能塊
10．7 綜述： 未來方向和展望
10．7．1 采用延時鎖定環(huán)（DLL）分布時鐘
10．7．2 光時鐘分布
10．7．3 同步與非同步設(shè)計
10．8 小結(jié)
10．9 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
設(shè)計方法插入說明G――設(shè)計驗證
參考文獻(xiàn)
第11章 設(shè)計運算功能塊
11．1 引言
11．2 數(shù)字處理器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)通路
11．3 加法器
11．3．1 二進(jìn)制加法器： 定義
11．3．2 全加器： 電路設(shè)計考慮
11．3．3 二進(jìn)制加法器： 邏輯設(shè)計考慮
11．4 乘法器
11．4．1 乘法器： 定義
11．4．2 部分積的產(chǎn)生
11．4．3 部分積的累加
11．4．4 最終相加
11．4．5 乘法器小結(jié)
11．5 移位器
11．5．1 桶形移位器
11．5．2 對數(shù)移位器
11．6 其他運算器
11．7 數(shù)據(jù)通路結(jié)構(gòu)中對功耗和速度的綜合考慮*
11．7．1 在設(shè)計時間可采用的降低功耗技術(shù)
11．7．2 運行時間的功耗管理
11．7．3 降低待機(jī)（或休眠）模式中的功耗
11．8 綜述： 設(shè)計中的綜合考慮
11．9 小結(jié)
11．10 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
第12章 存儲器和陣列結(jié)構(gòu)設(shè)計
12．1 引言
12．1．1 存儲器分類
12．1．2 存儲器總體結(jié)構(gòu)和單元模塊
12．2 存儲器內(nèi)核
12．2．1 只讀存儲器
12．2．2 非易失性讀寫存儲器
12．2．3 讀寫存儲器（RAM）
12．2．4 按內(nèi)容尋址或相聯(lián)存儲器（CAM）
12．3 存儲器外圍電路*
12．3．1 地址譯碼器
12．3．2 靈敏放大器
12．3．3 參考電壓
12．3．4 驅(qū)動器/緩沖器
12．3．5 時序和控制
12．4 存儲器的可靠性及成品率*
12．4．1 信噪比
12．4．2 存儲器成品率
12．5 存儲器中的功耗*
12．5．1 存儲器中功耗的來源
12．5．2 存儲器的分割
12．5．3 降低工作功耗
12．5．4 降低數(shù)據(jù)維持功耗
12．5．5 小結(jié)
12．6 存儲器設(shè)計的實例研究
12．6．1 可編程邏輯陣列
12．6．2 4 Mb SRAM
12．6．3 1 Gb NAND Flash存儲器
12．7 綜述： 半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展趨勢與進(jìn)展
12．8 小結(jié)
12．9 進(jìn)一步探討
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
設(shè)計方法插入說明H――制造電路的驗證和測試
H．3．1 可測性設(shè)計中的問題
H．3．2 專門測試
H．3．3 掃描測試
H．3．4 邊界掃描設(shè)計
H．3．5 內(nèi)建自測試
H．4．1 故障模型
H．4．2 測試圖形的自動生成
H．4．3 故障模擬
參考文獻(xiàn)
思考題答案