第1章 半導體物理與器件基礎

1.1概述

1.2平衡半導體

1.3載流子輸運現(xiàn)象

1.4非平衡載流子

1.5雙極晶體管基本原理

1.6雙極晶體管類型

1.7雙極晶體管電性能及缺陷分析測試方法

本章參考文獻

第2章空間帶電粒子輻射環(huán)境表征

2.1概述

2.2太陽活動對空間帶電粒子環(huán)境的影響

2.3地球輻射帶粒子環(huán)境

2.4銀河宇宙線粒子環(huán)境

2.5太陽宇宙線粒子環(huán)境

2.6近地軌道帶電粒子能譜計算

2.7帶電粒子輻射損傷能力判據(jù)

本章參考文獻

第3章 雙極器件電離輻射損傷效應

3.1概述

3.2雙極器件電離損傷效應基本特征

3.3雙極器件電離損傷缺陷表征

3.4雙極器件電離損傷影響因素

3.5電離輻射缺陷產(chǎn)生過程

3.6雙極晶體管電離損傷相關問題

本章參考文獻

第4章雙極器件位移損傷效應

4.1概述

4.2位移輻射損傷效應基本特征

4.3雙極器件位移缺陷表征及演化

4.4位移損傷影響因素

4.5位移損傷效應機理

本章參考文獻

第5章雙極器件電離/位移協(xié)同效應

5.1概述

5.2電離/位移協(xié)同效應基本特征

5.3輻射損傷缺陷特征

5.4輻射損傷機理

本章參考文獻

第6章雙極器件抗輻射加固相關問題

6.1引言

6.2雙極器件輻射損傷敏感部位界定

6.3抗輻射雙極器件工藝優(yōu)化

6.4抗輻射雙極器件結(jié)構(gòu)設計準則

6.5雙極電路與晶體管損傷的關聯(lián)

6.6新型抗輻射半導體材料應用前景

本章參考文獻

第7章 雙極器件輻射損傷效應評價方法

7.1引言

7.2雙極器件輻射損傷模擬實驗方法

7.3低劑量率增強效應地面加速試驗方法

7.4器件在軌吸收劑量計算方法

7.5器件在軌性能退化預測方法

本章參考文獻