本書(shū)基于課題組的研究成果和研究方向，對(duì)目前主流采用的半導(dǎo)體微納制造技術(shù)進(jìn)行歸納，結(jié)合已得到驗(yàn)證的理論進(jìn)行部分機(jī)理的論述，結(jié)合半導(dǎo)體微納光電器件的發(fā)展現(xiàn)狀闡述半導(dǎo)體微納器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)。首先對(duì)半導(dǎo)體微納器件的制造技術(shù)從圖形化襯底技術(shù)、外延生長(zhǎng)技術(shù)和刻蝕技術(shù)三方面進(jìn)行系統(tǒng)的概述，然后對(duì)器件的電注入機(jī)理及等離子基元局域增強(qiáng)效應(yīng)進(jìn)行機(jī)理論述，最后結(jié)合新型半導(dǎo)體器件歸納半導(dǎo)體微納器件的功能及發(fā)展。

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