第 一章　模擬電子技術(shù)概述（001） 1概述【001】 1.1　晶體管對世界的影響【001】 1.2　什么是電子技術(shù)？【003】 1.3　模擬信號和數(shù)字信號【003】 1.4　模擬電子技術(shù)【004】 1.5　模擬電子技術(shù)的學(xué)習(xí)方法【005】 第二章晶體管基礎(chǔ)（006） 2　雙極型晶體管的工作原理及放大電路【006】 2.1　電壓信號如何放大——晶體管的 引入【006】 2.2NPN型晶體管的伏安特性【010】 2.3用NPN晶體管構(gòu)建一個放大電路【014】 2.4靜態(tài)工作點和信號耦合【015】 2.5晶體管的4種工作狀態(tài)【016】 2.6給定電路求解靜態(tài)——包括狀態(tài)判斷【017】 2.7圖解法，對晶體管工作狀態(tài)加深理解【026】 2.8兩部件串聯(lián)的圖解方法【028】 2.9動態(tài)求解方法——以硅穩(wěn)壓管為例【031】 2.10　雙極型晶體管的動態(tài)模型——微變等效 模型【034】 2.11　雙極型晶體管放大電路的動態(tài)分析【036】 2.12　實驗測量法【043】 2.13　共基極放大電路、共集電極放大電路和 PNP管電路【045】 2.14　大信號情況下的失真分析【053】 2.15　放大電路的綜合分析【061】 2.16　多級放大電路【072】 3場效應(yīng)晶體管的工作原理及應(yīng)用電路【082】 3.1　場效應(yīng)晶體管分類和管腳定義【082】 3.2　JFET【083】 3.3　MOSFET【087】 3.4　FET放大電路的靜態(tài)電路和信號耦合【091】 3.5　FET的微變等效模型【101】 3.6　FET放大電路的動態(tài)分析【102】 第三章晶體管提高【109】 4晶體管的其他應(yīng)用電路【109】 4.1恒流源實現(xiàn)高增益放大【109】 4.2差動放大器1：差分信號的來源【111】 4.3差動放大器2：差動放大器雛形【113】 4.4差動放大器3：標(biāo)準(zhǔn)差動放大器【114】 4.5差動放大器4：共模抑制比及其提高 方法【119】++ 4.6電流鏡基本原理【132】 4.7比例電流鏡和Widlar微電流源【136】 4.8威爾遜電流鏡【142】 4.9電流源的順從電壓和輸出阻抗【146】 4.10恒流源【148】 4.11模擬開關(guān)【149】 4.12晶體管是組成集成電路的基礎(chǔ)【151】 4.13擴(kuò)流電路和超高頻放大電路【151】 4.14光電耦合器及其應(yīng)用【153】 4.15負(fù)載開關(guān)【165】 4.16晶體管產(chǎn)品【167】 5晶體管放大電路的頻率響應(yīng)【172】 5.1頻率響應(yīng)概述【172】 5.2阻容基本單元的頻率響應(yīng)【175】 5.3基本單元變形的頻率響應(yīng)【178】 5.4基本單元串聯(lián)的頻率響應(yīng)【182】 5.5晶體管放大電路的非雜散頻率響應(yīng)【184】 5.6晶體管的高頻等效模型【196】 5.7共射極電路的高頻響應(yīng)【197】 5.8共基極放大電路和共集電極放大電路的高頻 響應(yīng)【201】 5.9利用晶體管的數(shù)據(jù)手冊估算上限截止 頻率【203】 第四章負(fù)反饋和運算放大器基礎(chǔ) （205） 6理想運算放大器和負(fù)反饋電路【205】 6.1理想運算放大器【205】 6.2理想運算放大器組成的負(fù)反饋放大電路【205】 7負(fù)反饋理論【206】 7.1反饋的概念引入【206】 7.2認(rèn)識電路中的反饋【208】 7.3負(fù)反饋放大電路的方框圖分析法【212】 7.4利用方框圖法求解電路【213】 7.5負(fù)反饋對放大電路性能的影響【216】 7.6負(fù)反饋對失真度的影響【223】 8負(fù)反饋放大電路的分析方法【227】 8.1虛短和虛斷的來源【227】 8.2負(fù)反饋電路分析方法：虛短虛斷法【233】 8.3負(fù)反饋電路分析方法：大運放法【263】 8.4負(fù)反饋電路分析方法：環(huán)路方程法【267】 9實際運算放大器【270】 9.1用晶體管自制一個運算放大器【270】 9.2運算放大器的內(nèi)部構(gòu)造【271】 9.3運放的關(guān)鍵參數(shù)【273】 9.4運放的噪聲參數(shù)【295】 9.5全差分運算放大器【300】 9.6運放電路設(shè)計實踐【310】