原子層沉積制造技術(shù)及生物傳感應(yīng)用
定 價(jià)：158 元
- 作者：劉磊 著
- 出版時(shí)間：2024/3/1
- ISBN：9787122451248
- 出 版 社：化學(xué)工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TB303
- 頁(yè)碼：224
- 紙張：
- 版次：01
- 開本：16開
本書系統(tǒng)介紹了原子層沉積技術(shù)原理及生物傳感應(yīng)用，共分7章，主要內(nèi)容包括原子層沉積（ALD）技術(shù)的基本原理、特點(diǎn)、系統(tǒng)和工作模式，聚焦于ALD技術(shù)的拓展，涉及了ALD在摩擦、電磁、噪聲、量子和生物傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用，重點(diǎn)介紹該技術(shù)在生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域的前沿發(fā)展，在闡明ALD技術(shù)基本原理的同時(shí)，介紹其在前沿領(lǐng)域的先進(jìn)性和實(shí)際應(yīng)用。
本書可供微納制造與傳感檢測(cè)等領(lǐng)域的技術(shù)工作者閱讀使用，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)師生的參考書。
1 原子層沉積（ALD）概述 1
1.1 原子層沉積技術(shù)原理 2
1.2 原子層沉積技術(shù)的特點(diǎn) 7
1.3 原子層沉積系統(tǒng) 8
1.3.1 橫向流動(dòng)式 9
1.3.2 垂直流動(dòng)式 9
1.3.3 徑向流動(dòng)式 10
1.4 原子層沉積材料 10
參考文獻(xiàn) 11
2 原子層沉積技術(shù)拓展 15
2.1 多金屬源共饋ALD 16
2.1.1 多金屬源共饋ALD原理 16
2.1.2 多金屬源共饋ALD系統(tǒng) 17
2.1.3 多金屬源共饋ALD沉積異質(zhì)結(jié)構(gòu) 18
2.2 等離子體增強(qiáng)ALD技術(shù) 19
2.2.1 多金屬源共饋ALD原理 20
2.2.2 等離子體增強(qiáng)ALD的特點(diǎn) 21
2.2.3 等離子體增強(qiáng)ALD系統(tǒng) 24
2.2.4 等離子體增強(qiáng)ALD沉積材料 26
2.3 區(qū)域選擇性ALD 26
2.3.1 多金屬源共饋ALD原理 26
2.3.2 區(qū)域選擇性ALD分類 27
2.3.3 流化床式ALD原理 31
2.3.4 流化床式ALD分類 32
2.4 空間ALD 34
2.5 電化學(xué)ALD 35
2.6 多功能ALD 36
參考文獻(xiàn) 39
3 ALD應(yīng)用于表界面性能調(diào)控 44
3.1 ALD應(yīng)用于微納表界面性能調(diào)控概述 45
3.2 ALD應(yīng)用于表面摩擦性能調(diào)控 47
3.2.1 調(diào)控薄膜厚度 47
3.2.2 調(diào)控薄膜微結(jié)構(gòu) 55
3.2.3 調(diào)控薄膜形貌 59
3.3 ALD應(yīng)用于電磁特性調(diào)控 66
3.3.1 電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的ALD制造與調(diào)控 66
3.3.2 電磁特性調(diào)控 68
3.3.3 吸波和屏蔽機(jī)理 72
3.4 ALD應(yīng)用于傳感噪聲調(diào)控 77
3.4.1 氮化硅表面修飾和氧化鋁納米孔的ALD制造與調(diào)控 77
3.4.2 氮化硅與氧化鋁納米孔DNA分子檢測(cè) 79
3.5 ALD應(yīng)用于NV色心量子特性調(diào)控 81
3.5.1 NV色心簡(jiǎn)介 81
3.5.2 TiO2涂層對(duì)NV色心光學(xué)特性調(diào)控 84
3.5.3 MoS2薄膜對(duì)NV色心光學(xué)特性調(diào)控 86
參考文獻(xiàn) 89
4 ALD應(yīng)用于表面增強(qiáng)拉曼散射調(diào)控 94
4.1 表面增強(qiáng)拉曼散射（SERS）概述 95
4.2 SERS傳感器熱點(diǎn)的ALD制造與調(diào)控 100
4.2.1 SERS熱點(diǎn)的可控制造 100
4.2.2 SERS增強(qiáng)機(jī)制 103
4.2.3 SERS性能分析 104
4.3 SERS傳感器生物檢測(cè)應(yīng)用 110
4.3.1 SERS生物傳感器構(gòu)筑 111
4.3.2 SERS生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 112
參考文獻(xiàn) 116
5 ALD應(yīng)用于電化學(xué)生物傳感器 119
5.1 電化學(xué)（EC）生物傳感器概述 120
5.2 MoS2薄膜的ALD制造與調(diào)控 122
5.2.1 高比表面積薄膜的可控制造 122
5.2.2 傳感機(jī)理 125
5.2.3 MoS2薄膜生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 127
5.3 MoS2納米管的ALD制造與調(diào)控 129
5.3.1 MoS2納米管可控制造 129
5.3.2 傳感機(jī)理 134
5.3.3 MoS2納米管生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 135
參考文獻(xiàn) 138
6 ALD應(yīng)用于光電化學(xué)生物傳感器 139
6.1 光電化學(xué)（PEC）生物傳感器概述 140
6.2 光響應(yīng)納米通道的ALD制造與調(diào)控 142
6.2.1 光響應(yīng)納米通道可控制造 143
6.2.2 光響應(yīng)通道電流傳輸調(diào)控 145
6.2.3 光響應(yīng)納米通道生物傳感器應(yīng)用驗(yàn)證 147
6.3 Pt/MoS2納米管的ALD制造與調(diào)控 153
6.3.1 Pt/MoS2納米管可控制造 154
6.3.2 單原子分布催化調(diào)控 157
6.3.3 Pt/MoS2納米管酶反應(yīng)生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 160
6.4 MoS2/ReS2異質(zhì)結(jié)的ALD制造與調(diào)控 165
6.4.1 MoS2/ReS2異質(zhì)結(jié)可控制造 165
6.4.2 MoS2/ReS2異質(zhì)結(jié)的PEC性能調(diào)控 174
6.4.3 MoS2/ReS2異質(zhì)結(jié)生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 177
參考文獻(xiàn) 187
7 ALD應(yīng)用于場(chǎng)效應(yīng)管生物傳感器 191
7.1 場(chǎng)效應(yīng)管（FET）生物傳感器概述 192
7.2 ReS2-MoS2異質(zhì)結(jié)納米管的ALD制造與調(diào)控 198
7.2.1 MoS2納米管的可控制造 198
7.2.2 ReS2-MoS2超晶格納米管的可控制造 204
7.2.3 生物傳感器構(gòu)筑 205
7.2.4 ReS2-MoS2超晶格納米管生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 207
7.3 SWCNTs/MoS2復(fù)合薄膜的ALD制造與調(diào)控 209
7.3.1 SWCNTs/MoS2薄膜可控制造 210
7.3.2 生物傳感器構(gòu)筑 211
7.3.3 SWCNTs/MoS2生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 214
7.4 C60/MoS2薄膜的ALD制造與調(diào)控 216
7.4.1 C60/MoS2薄膜可控制造 216
7.4.2 生物傳感器構(gòu)筑 220
7.4.3 C60/MoS2生物傳感應(yīng)用驗(yàn)證 222
參考文獻(xiàn) 224
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