目錄
序
前言
第1章 緒論1
1.1 光刻機和光刻成像1
1.1.1 光刻機簡史1
1.1.2 光刻成像及其性能指標2
1.1.3 影響光刻成像性能的主要因素3
1.2 傳統(tǒng)分辨率增強技術7
1.2.1 離軸照明7
1.2.2 相移掩模8
1.2.3 基于規(guī)則的光學鄰近效應校正9
1.2.4 偏振照明9
1.3 計算光刻技術11
1.3.1 光刻成像模型11
1.3.2 先進計算光刻目標函數(shù)14
1.3.3 先進計算光刻算法16
參考文獻18
第2章 矢量計算光刻技術24
2.1 矢量光刻成像理論基礎24
2.1.1 二維矢量成像模型24
2.1.2 三維嚴格矢量光刻成像模型31
2.1.3 二維-三維的矢量光刻成像分析38
2.2 零誤差矢量計算光刻技術47
2.2.1 采用矢量成像模型的OPC技術47
2.2.2 采用矢量成像模型的SMO技術68
參考文獻88
第3章 快速-全芯片計算光刻技術92
3.1 壓縮感知計算光刻技術92
3.1.1 壓縮感知光源優(yōu)化技術92
3.1.2 非線性壓縮感知光源-掩模優(yōu)化技術104
3.2 貝葉斯壓縮感知計算光刻技術113
3.2.1 貝葉斯壓縮感知光源優(yōu)化技術113
3.2.2 非線性貝葉斯壓縮感知光源-掩模優(yōu)化技術122
3.3 全芯片壓縮感知計算光刻技術129
參考文獻133
第4章 高穩(wěn)定-高保真計算光刻技術137
4.1 誤差對計算光刻的影響137
4.1.1 波像差與偏振像差的定義與表征137
4.1.2 波像差對計算光刻的影響138
4.1.3 偏振像差對計算光刻的影響141
4.1.4 光源非均勻性與雜散光對計算光刻的影響142
4.2 高穩(wěn)定-高保真光源-掩模優(yōu)化技術145
4.2.1 低誤差敏感度的光源-掩模優(yōu)化技術145
4.2.2 全視場多目標光源-掩模優(yōu)化技術168
4.3 高穩(wěn)定-高保真光瞳優(yōu)化技術183
4.3.1 多目標標量光瞳優(yōu)化技術184
4.3.2 多目標矢量光瞳優(yōu)化技術200
參考文獻212
第5章 光源-掩模-工藝多參數(shù)協(xié)同計算光刻技術215
5.1 多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術基礎215
5.1.1 工藝參數(shù)對圖形保真的影響215
5.1.2 多目標函數(shù)構建219
5.1.3 多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化方法219
5.2 多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術及應用222
5.2.1 零誤差光刻系統(tǒng)的多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術及應用222
5.2.2 非零誤差光刻系統(tǒng)的多參數(shù)協(xié)同優(yōu)化技術及應用227
參考文獻231