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基于氮化鎵的高頻高效功率轉換技術 本書共8章,主要內(nèi)容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結構、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗證、寄生效應對GaN基功率轉換器的影響、GaN基AC/DC功率轉換器、GaN基開關模式功率放大器等。本書內(nèi)容涵蓋范圍廣,從材料生長到器件制造、從特性分析到魯棒性驗證、從電路設計到系統(tǒng)應用,層次清晰且系統(tǒng)性較強,可讀性較高;其內(nèi)容具有一定的前瞻性與先進性,所涉及的技術領域與工藝水平均為目前國際主流。
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