縮略語
PartD 晶體的氣相生長
23 SiC晶體的生長與表征
　23.1 SiC-背景與歷史
　23.2 氣相生長
　23.3 高溫溶液生長
　23.4 籽晶升華的產(chǎn)業(yè)化體材料生長
　23.5 結構缺陷及其構造
　23.6 結語
　參考文獻
24 物理氣相傳輸法生長體材料AIN晶體
　24.1 物理氣相傳輸法晶體生長
　24.2 高溫材料兼容
　24.3 AIN體材料晶體的自籽晶生長
　24.4 AIN體材料晶體的籽晶生長
　24.5 高質量晶體表征
　24.6 結論與展望
　參考文獻
25 單晶有機半導體的生長
　25.1 基礎
　25.2 成核與晶體生長理論
　25.3 對半導體單晶有機材料的興趣
　25.4 提純預生長
　25.5 晶體生長
　25.6 有機半導體單晶的質量
　25.7 有機單晶場效應晶體管
　25.8 結論
　參考文獻
26 鹵化物氣相外延生長Ⅲ族氮化物
　26.1 生長化學和熱力學
　26.2 HVPE生長設備
　26.3 體材料GaN的生長襯底和模版
　26.4 襯底除去技術
　26.5 HVPE中GaN的摻雜方法
　26.6 缺陷密度、位錯和殘留雜質
　26.7 HVPE生長的體材料GaN的一些重要性能
　26.8 通過HVPE生長AIN:一些初步的結論
　26.9 通過HVPE生長InN:一些初步的結論
　參考文獻
27 半導體單晶的氣相生長
　27.1 氣相生長分類
　27.2 化學氣相傳輸——傳輸動力學
　27.3 熱力學討論
　27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半導體的生長
　27.5 納米材料的氣相生長
　27.6Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ，化合物生長
　27.7 VPE法生長氮化鎵
　27.8 結論
　參考文獻
PartE 外延生長和薄膜
28化學氣相沉積的碳化硅外延生長
　28.1 碳化硅極化類型
　28.2 碳化硅的缺陷
　28.3 碳化硅外延生長
　28.4 圖形襯底上的外延生長
　28.5 結論
　參考文獻
29 半導體的液相電外延
　29.1 背景
　29.2 早期理論和模型的研究
　……
30 半導體的外延橫向增生
31 新材料的液相外延
32 分子束外延的HgCdTe生長
33 稀釋氮化物的金屬有機物氣相外延和砷化物量子點
34 鍺硅異質結的形成及其特性
35 脈沖激光的等離子能量和脈沖電子淀積