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基于脈沖激光沉積富硼B(yǎng)-C薄膜的關(guān)鍵技術(shù)研究

基于脈沖激光沉積富硼B(yǎng)-C薄膜的關(guān)鍵技術(shù)研究

定  價:38 元

叢書名:博士后文庫

        

  • 作者:章嵩著
  • 出版時間:2017/11/1
  • ISBN:9787030553331
  • 出 版 社:科學(xué)出版社
  • 中圖法分類:TD926.4 
  • 頁碼:
  • 紙張:膠版紙
  • 版次:1
  • 開本:16K
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讀者對象:薄膜材料研究專業(yè)科技人員,高等院校相關(guān)專業(yè)師生

《基于脈沖激光沉積富硼B(yǎng)-C薄膜的關(guān)鍵技術(shù)研究》旨在利用脈沖激光沉積技術(shù),將其分別采用碳化硼陶瓷靶與硼碳拼合靶為靶材。通過對靶材成分、組成形式及沉積溫度等工藝參數(shù)的調(diào)整,得到表面平整、厚度均勻及成分可控的富硼B(yǎng)-C薄膜,建立靶材成分、組成形式和沉積溫度等工藝參數(shù)與薄膜組成、結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系,對該系列薄膜的生長機理進行分析研究。

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