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垂直型GaN和SiC功率器件（GaN和SiC功率半導(dǎo)體器件的材料、工藝、特性和可靠性技術(shù)）

垂直型GaN和SiC功率器件（GaN和SiC功率半導(dǎo)體器件的材料、工藝、特性和可靠性技術(shù)）

定　　價(jià)：99 元

叢書(shū)名：半導(dǎo)體與集成電路關(guān)鍵技術(shù)叢書(shū)

        

  • 作者：[日] 望月 和浩（Kazuhiro Mochizuki）
  • 出版時(shí)間：2022/7/1
  • ISBN：9787111705024
  • 出 版 社：機(jī)械工業(yè)出版社
  • 中圖法分類(lèi)：TN303 
  • 頁(yè)碼：218
  • 紙張：
  • 版次：
  • 開(kāi)本：16(B5)
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讀者對(duì)象:功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、工藝設(shè)備、產(chǎn)業(yè)應(yīng)用和規(guī)劃領(lǐng)域的人士

近年來(lái).以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目.第三代半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于新一代移動(dòng)通信、新能源汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和國(guó)防電子等產(chǎn)業(yè).已成為國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的重點(diǎn)研究方向.
本書(shū)主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關(guān)技術(shù).內(nèi)容涵蓋垂直型和橫向功率半導(dǎo)體器件的比較.GaN和SiC的物理性質(zhì)、外延生長(zhǎng)、制備工藝、主要器件結(jié)構(gòu)與特性.以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等.
本書(shū)適合從事GaN和SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)的科研工作者、工程師閱讀.也可作為高等院校微電子科學(xué)與工程、電力電子技術(shù)等相關(guān)專(zhuān)業(yè)的教材.
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