第1章 固體的晶體結(jié)構(gòu)
1.1 半導(dǎo)體材料
1.2 固體類型
1.3 空間點(diǎn)陣
1.3.1 原胞與晶胞
1.3.2 基本晶體結(jié)構(gòu)
1.3.3 晶面和米勒指數(shù)
1.3.4 金剛石結(jié)構(gòu)
1.4 原子價(jià)鍵
1.5 固體中的缺陷和雜質(zhì)
1.5.1 固體缺陷
1.5.2 固體中的雜質(zhì)
Σ1.6 半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)
1.6.1 熔體生長(zhǎng)
1.6.2 外延生長(zhǎng)
Σ1.7 器件制備技術(shù)： 氧化
1.8 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 固體理論
2.1 量子力學(xué)的基本原理
2.1.1 能量子
2.1.2 波粒二象性
2.2 能量量子化和概率
2.2.1 波函數(shù)的物理意義
2.2.2 單電子原子
2.2.3 元素周期表
2.3 能帶理論
2.3.1 能帶的形成
2.3.2 能帶與價(jià)鍵模型
2.3.3 載流子——電子和空穴
2.3.4 有效質(zhì)量
2.3.5 金屬、 絕緣體和半導(dǎo)體
2.3.6 k空間能帶圖
2.4 態(tài)密度函數(shù)
2.5 統(tǒng)計(jì)力學(xué)
2.5.1 統(tǒng)計(jì)規(guī)律
2.5.2 費(fèi)米-狄拉克分布和費(fèi)米能級(jí)
2.5.3 麥克斯韋-玻爾茲曼近似
2.6 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 平衡半導(dǎo)體
3.1 半導(dǎo)體中的載流子
3.1.1 電子和空穴的平衡分布
3.1.2 平衡電子和空穴濃度方程
3.1.3 本征載流子濃度
3.1.4 本征費(fèi)米能級(jí)的位置
3.2 摻雜原子與能級(jí)
3.2.1 定性描述
3.2.2 電離能
3.2.3 Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體
3.3 非本征半導(dǎo)體的載流子分布
3.3.1 電子和空穴的平衡分布
3.3.2 n0p0積
Σ3.3.3費(fèi)米-狄拉克積分
3.3.4 簡(jiǎn)并與非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
3.4 施主和受主的統(tǒng)計(jì)分布
3.4.1 概率分布函數(shù)
Σ3.4.2完全電離與凍析
3.5 載流子濃度——摻雜的影響
3.5.1 補(bǔ)償半導(dǎo)體
3.5.2 平衡電子和空穴濃度
3.6 費(fèi)米能級(jí)的位置——摻雜和溫度的影響
3.6.1 數(shù)學(xué)推導(dǎo)
3.6.2 EF隨摻雜濃度和溫度的變化
3.6.3 費(fèi)米能級(jí)的關(guān)聯(lián)性
Σ3.7器件制備技術(shù)： 擴(kuò)散和離子注入
3.7.1 雜質(zhì)原子擴(kuò)散
3.7.2 離子注入
3.8 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 載流子輸運(yùn)和過剩載流子現(xiàn)象
4.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)
4.1.1 漂移電流密度
4.1.2 遷移率
4.1.3 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和電阻率
4.1.4 速度飽和
4.2 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
4.2.1 擴(kuò)散電流密度
4.2.2 總電流密度
4.3 漸變雜質(zhì)分布
4.3.1 感應(yīng)電場(chǎng)
4.3.2 愛因斯坦關(guān)系
4.4 載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
4.4.1 平衡半導(dǎo)體
4.4.2 過剩載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
4.4.3 產(chǎn)生-復(fù)合過程
Σ4.5霍爾效應(yīng)
4.6 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章 pn結(jié)和金屬-半導(dǎo)體接觸
5.1 pn結(jié)的基本結(jié)構(gòu)
5.2 零偏pn結(jié)
5.2.1 內(nèi)建電勢(shì)
5.2.2 電場(chǎng)強(qiáng)度
5.2.3 空間電荷區(qū)寬度
5.3 反偏pn結(jié)
5.3.1 空間電荷區(qū)寬度與電場(chǎng)
5.3.2 勢(shì)壘電容
5.3.3 單邊突變結(jié)
5.4 金屬-半導(dǎo)體接觸——整流結(jié)
5.4.1 肖特基勢(shì)壘結(jié)
5.4.2 反偏肖特基結(jié)
5.5 正偏結(jié)簡(jiǎn)介
5.5.1 pn結(jié)
5.5.2 肖特基勢(shì)壘結(jié)
5.5.3 肖特基二極管和pn結(jié)二極管的比較
Σ5.6金屬-半導(dǎo)體的歐姆接觸
Σ5.7非均勻摻雜pn結(jié)
5.7.1 線性緩變結(jié)
5.7.2 超突變結(jié)
Σ5.8器件制備技術(shù)： 光刻、 刻蝕和鍵合
5.8.1 光學(xué)掩膜版和光刻
5.8.2 刻蝕
5.8.3 雜質(zhì)擴(kuò)散或離子注入
5.8.4 金屬化、 鍵合和封裝
5.9 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ)
6.1 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管作用
6.1.1 基本工作原理
6.1.2 工作模式
6.1.3 MOSFET放大
6.2 雙端MOS電容
6.2.1 能帶結(jié)構(gòu)和電荷分布
6.2.2 耗盡層厚度
6.3 MOS電容的電勢(shì)差
6.3.1 功函數(shù)差
6.3.2 氧化層電荷
6.3.3 平帶電壓
6.3.4 閾值電壓
Σ6.3.5電場(chǎng)分布
6.4 電容-電壓特性
6.4.1 理想C-V特性
Σ6.4.2頻率影響
Σ6.4.3氧化層固定電荷和界面電荷的影響
6.5 MOSFET基本工作原理
6.5.1 MOSFET結(jié)構(gòu)
6.5.2 電流-電壓關(guān)系——基本概念
Σ6.5.3電流-電壓關(guān)系——數(shù)學(xué)推導(dǎo)
6.5.4 襯底偏置效應(yīng)
6.6 小信號(hào)等效電路及頻率限制因素
6.6.1 跨導(dǎo)
6.6.2 小信號(hào)等效電路
6.6.3 頻率限制因素與截止頻率
Σ6.7器件制備技術(shù)
6.7.1 NMOS晶體管的制備
6.7.2 CMOS技術(shù)
6.8 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第7章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的其他概念
7.1 MOSFET按比例縮小法則
7.1.1 恒電場(chǎng)按比例縮小法則
7.1.2 閾值電壓——一級(jí)近似
7.1.3 一般按比例縮小法則
7.2 非理想效應(yīng)
7.2.1 亞閾值電導(dǎo)
7.2.2 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)
7.2.3 溝道遷移率變化
7.2.4 速度飽和
7.3 閾值電壓修正
7.3.1 短溝道效應(yīng)
7.3.2 窄溝道效應(yīng)
7.3.3 襯底偏置效應(yīng)
7.4 其他電學(xué)特性
7.4.1 氧化層擊穿
7.4.2 臨界穿通或漏致勢(shì)壘降低(DIBL)
7.4.3 熱電子效應(yīng)
7.4.4 離子注入調(diào)整閾值電壓
7.5 器件制備技術(shù)： 特種器件
7.5.1 輕摻雜漏晶體管
7.5.2 絕緣體上MOSFET
7.5.3 功率MOSFET
7.5.4 MOS存儲(chǔ)器
7.6 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第8章 半導(dǎo)體中的非平衡過剩載流子
8.1 載流子的產(chǎn)生與復(fù)合
8.2 過剩載流子的分析
8.2.1 連續(xù)性方程
8.2.2 時(shí)間相關(guān)的擴(kuò)散方程
8.3 雙極輸運(yùn)
8.3.1 雙極輸運(yùn)方程的推導(dǎo)
8.3.2 非本征摻雜和小注入限制
8.3.3 雙極輸運(yùn)方程的應(yīng)用
8.3.4 介電弛豫時(shí)間常數(shù)
8.3.5 海恩斯-肖克利實(shí)驗(yàn)
8.4 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
8.5 過剩載流子的壽命
8.5.1 肖克利-里德-霍爾(SRH)復(fù)合理論
8.5.2 非本征摻雜和小注入限制
8.6 表面效應(yīng)
8.6.1 表面態(tài)
8.6.2 表面復(fù)合速度
8.7 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第9章 pn結(jié)二極管與肖特基二極管
9.1 pn結(jié)和肖特基勢(shì)壘結(jié)的回顧
9.1.1 pn結(jié)
9.1.2 肖特基勢(shì)壘結(jié)
9.2 pn結(jié)——理想電流-電壓特性
9.2.1 邊界條件
9.2.2 少子分布
9.2.3 理想pn結(jié)電流
9.2.4 物理小結(jié)
9.2.5 溫度效應(yīng)
9.2.6 短二極管
9.2.7 本節(jié)小結(jié)
9.3 肖特基二極管——理想電流-電壓關(guān)系
9.3.1 肖特基二極管
9.3.2 肖特基二極管與pn結(jié)二極管的比較
9.4 pn結(jié)二極管的小信號(hào)模型
9.4.1 擴(kuò)散電阻
9.4.2 小信號(hào)導(dǎo)納
9.4.3 等效電路
9.5 產(chǎn)生-復(fù)合電流
9.5.1 反偏產(chǎn)生電流
9.5.2 正偏復(fù)合電流
9.5.3 總正偏電流
9.6 結(jié)擊穿
9.7 電荷存儲(chǔ)與二極管瞬態(tài)
9.7.1 關(guān)瞬態(tài)
9.7.2 開瞬態(tài)
9.8 小結(jié)
知識(shí)點(diǎn)
復(fù)習(xí)題
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第10章 雙極型晶體管
10.1 雙極型晶體管的工作原理
10.1.1 基本工作原理
10.1.2 簡(jiǎn)化的晶體管電流關(guān)系
10.1.3 工作模式
10.1.4 雙極型晶體管放大電路
10.2 少子分布
10.2.1 正向有源模式
10.2.2 其他工作模式
10.3 低頻共基極電流增益
10.3.1 貢獻(xiàn)因子
10.3.2 電流增益系數(shù)的數(shù)學(xué)推導(dǎo)
10.3.3 本節(jié)小結(jié)
10.3.4 增益系數(shù)的計(jì)算實(shí)例
10.4 非理想效應(yīng)
10.4.1 基區(qū)寬度調(diào)制